• Transistor IRF640

    Transistor IRF640

    Référence : 7283-2

    Le transistor à effet de champ est un composant semi-conducteur généralement utilisé pour amplifier ou commuter les signaux électroniques. À la différence du transistor J-FET, le transistor MOS-FET possède une couche en Métal-Oxyde qui isole la grille du canal. Ce transistor à effet de champ MOS-FET est uniformément dopé d?un barreau semi-conducteur constituant le canal N.

    -40%

    1,90

    1,14

  • Transistor IRFR120N

    Transistor IRFR120N

    Référence : 7730

    Le transistor à effet de champ est un composant semi-conducteur généralement utilisé pour amplifier ou commuter les signaux électroniques. À la différence du transistor J-FET, le transistor MOS-FET possède une couche en Métal-Oxyde qui isole la grille du canal. Ce transistor à effet de champ MOS-FET est uniformément dopé d?un barreau semi-conducteur constituant le canal N.

    -40%

    0,75

    0,45

  • Transistor IRFL9110

    Transistor IRFL9110

    Référence : 7738

    Le transistor à effet de champ est un composant semi-conducteur généralement utilisé pour amplifier ou commuter les signaux électroniques. À la différence du transistor J-FET, le transistor MOS-FET possède une couche en Métal-Oxyde qui isole la grille du canal. Ce transistor à effet de champ MOS-FET est uniformément dopé d?un barreau semi-conducteur constituant le canal P.

    -40%

    0,85

    0,51

  • Transistor IRFU120N

    Transistor IRFU120N

    Référence : 7737

    Le transistor à effet de champ est un composant semi-conducteur généralement utilisé pour amplifier ou commuter les signaux électroniques. À la différence du transistor J-FET, le transistor MOS-FET possède une couche en Métal-Oxyde qui isole la grille du canal. Ce transistor à effet de champ MOS-FET est uniformément dopé d?un barreau semi-conducteur constituant le canal N.

    -40%

    1,15

    0,69

  • Transistor IRF3205S

    Transistor IRF3205S

    Référence : 7736

    Le transistor à effet de champ est un composant semi-conducteur généralement utilisé pour amplifier ou commuter les signaux électroniques. À la différence du transistor J-FET, le transistor MOS-FET possède une couche en Métal-Oxyde qui isole la grille du canal. Ce transistor à effet de champ MOS-FET est uniformément dopé d?un barreau semi-conducteur constituant le canal N.

    -40%

    3,50

    2,10

  • Transistor IRLR120N

    Transistor IRLR120N

    Référence : 7744

    Le transistor à effet de champ est un composant semi-conducteur généralement utilisé pour amplifier ou commuter les signaux électroniques. À la différence du transistor J-FET, le transistor MOS-FET possède une couche en Métal-Oxyde qui isole la grille du canal. Ce transistor à effet de champ MOS-FET est uniformément dopé d?un barreau semi-conducteur constituant le canal N.

    -40%

    1,35

    0,81

  • Transistor BS170

    Transistor BS170

    Référence : 3571

    Le transistor à effet de champ est un composant semi-conducteur généralement utilisé pour amplifier ou commuter les signaux électroniques. À la différence du transistor J-FET, le transistor MOS-FET possède une couche en Métal-Oxyde qui isole la grille du canal. Ce transistor à effet de champ MOS-FET est uniformément dopé d?un barreau semi-conducteur constituant le canal N.

    -40%

    0,25

    0,15

  • Transistor IRF520

    Transistor IRF520

    Référence : 7297

    Le transistor à effet de champ est un composant semi-conducteur généralement utilisé pour amplifier ou commuter les signaux électroniques. À la différence du transistor J-FET, le transistor MOS-FET possède une couche en Métal-Oxyde qui isole la grille du canal. Ce transistor à effet de champ MOS-FET est uniformément dopé d?un barreau semi-conducteur constituant le canal N.

    -40%

    0,95

    0,57

  • Transistor RFP50N06

    Transistor RFP50N06

    Référence : 2091

    Le transistor à effet de champ est un composant semi-conducteur généralement utilisé pour amplifier ou commuter les signaux électroniques. À la différence du transistor J-FET, le transistor MOS-FET possède une couche en Métal-Oxyde qui isole la grille du canal. Ce transistor à effet de champ MOS-FET est uniformément dopé d?un barreau semi-conducteur constituant le canal N.

    -40%

    3,35

    2,01

  • Transistor IRF740

    Transistor IRF740

    Référence : 7290

    Le transistor à effet de champ est un composant semi-conducteur généralement utilisé pour amplifier ou commuter les signaux électroniques. À la différence du transistor J-FET, le transistor MOS-FET possède une couche en Métal-Oxyde qui isole la grille du canal. Ce transistor à effet de champ MOS-FET est uniformément dopé d?un barreau semi-conducteur constituant le canal N.

    1,50
  • Transistor IRF540

    Transistor IRF540

    Référence : 7378

    Le transistor à effet de champ est un composant semi-conducteur généralement utilisé pour amplifier ou commuter les signaux électroniques. À la différence du transistor J-FET, le transistor MOS-FET possède une couche en Métal-Oxyde qui isole la grille du canal. Ce transistor à effet de champ MOS-FET est uniformément dopé d?un barreau semi-conducteur constituant le canal N.

    -40%

    1,35

    0,81

  • Transistor IRFZ24

    Transistor IRFZ24

    Référence : 2189

    Le transistor à effet de champ est un composant semi-conducteur généralement utilisé pour amplifier ou commuter les signaux électroniques. À la différence du transistor J-FET, le transistor MOS-FET possède une couche en Métal-Oxyde qui isole la grille du canal. Ce transistor à effet de champ MOS-FET est uniformément dopé d?un barreau semi-conducteur constituant le canal N.

    -40%

    1,45

    0,87

  • Transistor IRFP3306

    Transistor IRFP3306

    Référence : 7736-2

    Le transistor à effet de champ est un composant semi-conducteur généralement utilisé pour amplifier ou commuter les signaux électroniques. À la différence du transistor J-FET, le transistor MOS-FET possède une couche en Métal-Oxyde qui isole la grille du canal. Ce transistor à effet de champ MOS-FET est uniformément dopé d?un barreau semi-conducteur constituant le canal N.

    -40%

    7,95

    4,77

  • Transistor IRF531

    Transistor IRF531

    Référence : 4103

    Le transistor à effet de champ est un composant semi-conducteur généralement utilisé pour amplifier ou commuter les signaux électroniques. À la différence du transistor J-FET, le transistor MOS-FET possède une couche en Métal-Oxyde qui isole la grille du canal. Ce transistor à effet de champ MOS-FET est uniformément dopé d?un barreau semi-conducteur constituant le canal N.

    -40%

    2,95

    1,77

  • Transistor IRF3808

    Transistor IRF3808

    Référence : 1568

    Le transistor à effet de champ est un composant semi-conducteur généralement utilisé pour amplifier ou commuter les signaux électroniques. À la différence du transistor J-FET, le transistor MOS-FET possède une couche en Métal-Oxyde qui isole la grille du canal. Ce transistor à effet de champ MOS-FET est uniformément dopé d?un barreau semi-conducteur constituant le canal N.

    -40%

    6,90

    4,14

  • Transistor IRF2804

    Transistor IRF2804

    Référence : 1528

    Le transistor à effet de champ est un composant semi-conducteur généralement utilisé pour amplifier ou commuter les signaux électroniques. À la différence du transistor J-FET, le transistor MOS-FET possède une couche en Métal-Oxyde qui isole la grille du canal. Ce transistor à effet de champ MOS-FET est uniformément dopé d?un barreau semi-conducteur constituant le canal N.

    -40%

    6,90

    4,14

  • Transistor IRL540N

    Transistor IRL540N

    Référence : 1677

    Le transistor à effet de champ est un composant semi-conducteur généralement utilisé pour amplifier ou commuter les signaux électroniques. À la différence du transistor J-FET, le transistor MOS-FET possède une couche en Métal-Oxyde qui isole la grille du canal. Ce transistor à effet de champ MOS-FET est uniformément dopé d?un barreau semi-conducteur constituant le canal N.

    -40%

    1,95

    1,17

  • Transistor IRFL110

    Transistor IRFL110

    Référence : 7728

    Le transistor à effet de champ est un composant semi-conducteur généralement utilisé pour amplifier ou commuter les signaux électroniques. À la différence du transistor J-FET, le transistor MOS-FET possède une couche en Métal-Oxyde qui isole la grille du canal. Ce transistor à effet de champ MOS-FET est uniformément dopé d?un barreau semi-conducteur constituant le canal N.

    -40%

    1,05

    0,63

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