Transistor Mos canal P - IRF5210S
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Transistor Mos canal P - IRF5210S

Référence : HD75-996

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En détails
Caractéristiques :
  • Boîtier : DPAK
  • VDS : 100V
  • ID : 40A
  • Puissance : 200W
  • RDS on : n.c.

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