Transistor Mos canal P - 2N5115
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Transistor Mos canal P - 2N5115

Référence : HD88-276

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En détails
Caractéristiques :
  • Boîtier : TO-18
  • VDS : 30V
  • ID : 0.06A
  • Puissance : 0.5W
  • RDS on : n.c.

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