Transistor Mos canal P - 2N6849
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Transistor Mos canal P - 2N6849

Référence : HD87-893

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En détails
Caractéristiques :
  • Boîtier : TO-39
  • VDS : 100V
  • ID : 6.5A
  • Puissance : 25W
  • RDS on : n.c.