Transistor IRFR120N
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Le transistor à effet de champ est un composant semi-conducteur généralement utilisé pour amplifier ou commuter les signaux électroniques. À la différence du transistor J-FET, le transistor MOS-FET possède une couche en Métal-Oxyde qui isole la grille du canal. Ce transistor à effet de champ MOS-FET est uniformément dopé d?un barreau semi-conducteur constituant le canal N.

Caractéristiques :
  • Type : MOS-FET canal N
  • Boitier : TO252AA
  • VDS : 100V
  • ID : 9,1A
  • Rds : 0,21 ohm

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