Transistor Mos canal P - IRF9Z24
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Transistor Mos canal P - IRF9Z24

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En détails
Caractéristiques :
  • Boîtier : TO-220
  • VDS : 60V
  • ID : 11A
  • Puissance : n.c.
  • RDS on : n.c.
Spécifications techniques
  • Tension : 25V
  • Valeur : 1000µF
  • Type : Radial

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